存儲芯片進(jìn)入史上最瘋狂時期。

近半年來，全球科技媒體對內(nèi)存、固態(tài)硬盤（NAND Flash）等存儲產(chǎn)品短缺的報道密集涌現(xiàn)，其態(tài)勢之猛烈、影響之深遠(yuǎn)，遠(yuǎn)超常規(guī)行業(yè)周期波動，有媒體甚至用“切爾諾貝利4號反應(yīng)堆爆炸式的連鎖災(zāi)難”來形容這場供應(yīng)鏈危機(jī)。這場短缺并非偶然，核心驅(qū)動力是人工智能（AI）產(chǎn)業(yè)的爆炸式增長——從大模型訓(xùn)練、推理到全球數(shù)據(jù)中心基建的瘋狂擴(kuò)張，正以前所未有的力度吞噬著存儲產(chǎn)能。市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce的最新報告顯示，2026年全球生產(chǎn)的內(nèi)存中，高達(dá)70%將被數(shù)據(jù)中心消耗，徹底重塑了全球存儲市場的供需格局。

此外，據(jù)Tom's Hardware報道，OpenAI的“星門”項目日前與和SK海力士簽署了每月高達(dá)90萬片DRAM晶圓的供應(yīng)協(xié)議。僅這一數(shù)字，就接近全球DRAM產(chǎn)量的40%。云服務(wù)提供商也在以同樣激進(jìn)的方式鎖定供應(yīng)。報道指出，高密度NAND產(chǎn)品實際上已被提前數(shù)月預(yù)訂一空。美光的高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品在2026年前的產(chǎn)能幾乎已全部售罄。合同期限從過去的一季度延長至數(shù)年，巨頭們正在源頭進(jìn)行直接采購。

此前，這場存儲危機(jī)的討論多局限于科技行業(yè)內(nèi)部，尚未進(jìn)入全球公眾與跨行業(yè)決策層的核心視野。但這一局面正在快速改變，這場由AI引發(fā)的內(nèi)存短缺已突破科技領(lǐng)域邊界，正向汽車、消費電子、家電等與普通大眾生活緊密相關(guān)的多個行業(yè)蔓延，形成跨領(lǐng)域的連鎖沖擊效應(yīng)。

如今幾乎所有東西都需要內(nèi)存，這已是顯而易見的事實。但即使是電視、藍(lán)牙音箱、機(jī)頂盒等常見的家用電器，甚至是冰箱等“智能”家電，價格也可能變得極其昂貴。這些產(chǎn)品的利潤空間本來就非常微薄，而像內(nèi)存這樣關(guān)鍵組件的價格一旦成倍增長，就意味著制造商愿意或不愿意承擔(dān)的成本，最終只能將這部分成本轉(zhuǎn)嫁給消費者——前提是他們有足夠的內(nèi)存來生產(chǎn)這些設(shè)備。

盡管各行各業(yè)的零部件價格一直在波動，但這種波動通常是暫時的，足以維持價格穩(wěn)定，但這次情況并非如此。黃仁勛認(rèn)為，內(nèi)存的價格可能會占到大多數(shù)電子產(chǎn)品價格的10%，甚至在智能手機(jī)等產(chǎn)品中占到30%。

IDC已更新其2026年預(yù)測，預(yù)計智能手機(jī)銷量將下降5%，個人電腦銷量將下降9%——這些預(yù)測可能在短短幾個月內(nèi)就會進(jìn)一步變化。該公司還將當(dāng)前形勢稱為供應(yīng)商產(chǎn)能向人工智能數(shù)據(jù)中心的“永久性重新分配”。TrendForce的Avril Wu對此表示贊同，她“追蹤內(nèi)存行業(yè)近20年，這次的情況確實不同……這真的是有史以來最瘋狂的時期?！?/p>

存儲三巨頭，擴(kuò)產(chǎn)加速

三星電子近日已與韓國土地住宅公社（LH）簽署土地購買協(xié)議，莊閑和游戲app正式啟動龍仁國家產(chǎn)業(yè)園項目。三星將投資360萬億韓元，在約728萬平方米的園區(qū)內(nèi)建設(shè)六座晶圓廠，計劃2026年下半年開工，2031年完工。龍仁項目最初被冠以系統(tǒng)半導(dǎo)體集群的名號，但隨著2026年AI市場的演進(jìn)，該園區(qū)的戰(zhàn)略定位發(fā)生了實質(zhì)性的偏移。諸多行業(yè)人士表示，龍仁集群將成為三星電子實現(xiàn)垂直AI集成（Vertical AI Integration）的核心基地。

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造模式將存儲器（Memory）和邏輯芯片（Logic）的生產(chǎn)在地理和工藝上嚴(yán)格分離。然而在AI時代，這種分離帶來了不可忽視的數(shù)據(jù)傳輸延遲和能耗瓶頸。此前在HBM3E時代，底部的基礎(chǔ)裸片仍然主要由存儲廠商使用成熟工藝制造。但進(jìn)入HBM4時代以及未來，為了處理龐大的I/O吞吐和集成更多的控制邏輯，基礎(chǔ)裸片必須采用先進(jìn)的邏輯工藝（如5nm或4nm）制造。

與此同時，三星此前因半導(dǎo)體周期下行而暫停的P5工廠建設(shè)也已全面重啟，三星已啟動為P5訂購包括氣體、化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)在內(nèi)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備招標(biāo)，目標(biāo)是在2028年實現(xiàn)全面運營。通常情況下，設(shè)備訂單會在框架搭建完成后才下達(dá)，但此次為了加快批量生產(chǎn)進(jìn)度，三星據(jù)稱將采取“快速通道”策略，即框架搭建、設(shè)備訂購和安裝工作同步進(jìn)行。

SK海力士則選擇與臺積電結(jié)成深度聯(lián)盟。鑒于HBM4的基礎(chǔ)裸片需要采用先進(jìn)邏輯工藝（如12nmFFC及N5/N3工藝）以集成更多控制邏輯，SK海力士并未像三星那樣試圖自己解決所有問題，而是選擇將其存儲技術(shù)與臺積電的CoWoS封裝工藝及邏輯制程進(jìn)行深度耦合。SK海力士的產(chǎn)能擴(kuò)張策略具有極強(qiáng)的針對性，幾乎完全服務(wù)于HBM等高附加值產(chǎn)品。為了應(yīng)對NVIDIA對HBM4的迫切需求，SK海力士將M15X的量產(chǎn)時間表從原計劃的2026年6月提前至2026年2月。這座工廠被明確定義為HBM4等DRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)基地，將專注于生產(chǎn)制造HBM4所需的1b納米（第五代10納米級）及未來的1c納米DRAM顆粒。初始產(chǎn)能規(guī)劃為每月1萬片晶圓，但計劃在2026年底前迅速擴(kuò)展至多倍規(guī)模。

美光在2026財年展現(xiàn)出更具侵略性的擴(kuò)張姿態(tài)，在業(yè)績說明會上，美光計劃將2026財年的資本支出增加至約200億美元，高于此前估計的180億美元。這一增量資金將集中用于兩點：擴(kuò)充HBM封裝產(chǎn)能，以及加速1-gamma（1γ）工藝節(jié)點的全面鋪開。

位于博伊西總部的ID2晶圓廠項目被確立為最高優(yōu)先級。美光將原計劃投入紐約的部分資源重新調(diào)配至此，目標(biāo)是將ID2打造為全球唯一的“研發(fā)+量產(chǎn)”一體化超級中心。截至2026年1月，ID2主體建設(shè)已進(jìn)入沖刺階段，預(yù)計將于2026年內(nèi)啟動設(shè)備安裝，并鎖定在2027年實現(xiàn)有意義的DRAM產(chǎn)出。

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