中經(jīng)記者譚倫北京報道

　　日前，在低調官宣2納米制程已于2025年第四季度正式量產(chǎn)后，臺積電披露下一代1.4納米工藝研發(fā)工作也已順利展開，其相關工廠建設正加速推進。按照既有節(jié)奏，其1.4納米工藝的風險性試產(chǎn)工作預期將于2027年啟動。

　　這一系列的進展，在鞏固臺積電在晶圓代工領域霸主地位的同時，也宣告全球半導體物理制造極限的產(chǎn)業(yè)競爭正式進入全新的1納米時代。在當前的全球半導體制造版圖中，臺積電占據(jù)絕對主導，三星奮力追趕，英特爾則試圖通過技術革新實現(xiàn)彎道超車。其中，三星電子希望通過率先應用GAA（全環(huán)繞柵極）架構實現(xiàn)“彎道超車”；昔日霸主英特爾則在“五年四個節(jié)點”戰(zhàn)略的驅動下，試圖通過制程之爭重回巔峰。

　　目前，臺積電尚未披露采用其1.4納米制程的客戶名單。但據(jù)媒體報道稱，蘋果已拿下臺積電2納米初期半數(shù)以上的產(chǎn)能，用于生產(chǎn)A20和A20 Pro芯片，因此，市場預計其大概率會再度成為1.4納米的最大客戶。

　　對此，CHIP中國實驗室主任羅國昭向《中國經(jīng)營報》記者表示，半導體先進制程的研發(fā)素來緊湊，量產(chǎn)一代之際，下一代的預研便已開始。考慮到當前全球市場對AI算力的巨大需求，2納米至1.4納米的過渡間隔或將縮短，其量產(chǎn)進程或也將進一步提前。

　　“破2進1”雙線推進

　　作為當前全球半導體制造領域的執(zhí)牛耳者，臺積電一直以其精準的時鐘節(jié)奏著稱。此次2納米的量產(chǎn)與1.4納米的推進依然如此。半導體產(chǎn)業(yè)分析師季維認為，制程轉換背后，也意味著臺積電完成了從FinFET（鰭式場效應晶體管）架構向GAA架構的平穩(wěn)過渡。

　　據(jù)臺積電官方信息，最新量產(chǎn)的2納米工藝（N2）采用第一代納米片晶體管架構，較此前3納米/3納米增強版在能耗與性能上有較大改進。其中，相同功耗下性能提升10%—15%，相同性能下功耗降低25%—30%，晶體管密度提升約20%。量產(chǎn)上也形成多廠擴產(chǎn)格局，同時服務蘋果、英偉達等客戶，展現(xiàn)出對多元需求的覆蓋。

　　臺積電CEO魏哲家表示，2納米良率表現(xiàn)良好，2026年將在智能手機與AI/HPC需求推動下加速產(chǎn)能爬坡。得益于穩(wěn)定的良率控制與頭部客戶加持，臺積電2納米制程有望快速形成規(guī)模效應，進一步拉開與競爭對手的差距。

　　而對于正在推進的1.4納米制程，已釋出的信息顯示，其技術路線被視為臺積電“漸進式更小節(jié)點”的戰(zhàn)略。一方面，其繼續(xù)在N2上滾動優(yōu)化（N2派生版本），另一方面，則推進研發(fā)與產(chǎn)線前置建設，以便在N2成熟后迅速轉入下一代節(jié)點的試產(chǎn)與放量。

　　在技術路線上，據(jù)臺媒相關消息，1.4納米制程或延續(xù)GAA架構并引入超級電軌背面供電技術，重點優(yōu)化AI芯片與高性能計算場景的性能表現(xiàn)。但其初期良率或低于20%，待逐步攀升后，需求才可能迎來激增。

　　目前，臺積電目標是在2027年前后啟動1.4納米制程風險試產(chǎn)，2028年前后逐步進入量產(chǎn)。羅國昭認為，按照市場信息推斷，臺積電短期仍會以2納米為主，產(chǎn)能聚焦高端手機或AI芯片供給。中期則預計將視1.4納米良率曲線而定，若能在進入量產(chǎn)的前一年內將良率推高，市場需求便可能出現(xiàn)“彈性爆發(fā)”。

　　季維則認為，由于1.4納米制程的晶體管尺寸進一步微縮，光刻圖案的重疊精度要求已達到原子級，這使得每片晶圓的造價成本可能急劇攀升，從而影響其市場定價。但考慮到先進制程客戶的營收能力，有望進一步推高臺積電未來的收入。

　　三星、英特爾緊隨

　　作為臺積電目前最直接的兩大對手，三星和英特爾長期以來一直與其在先進制程上角力。業(yè)內廣泛認為，此次臺積電“破2進1”，將逼迫三星和英特爾加緊追趕步伐。

　　從2022年開始就實現(xiàn)3納米GAA工藝量產(chǎn)、與臺積電針鋒相對的三星，近年來在產(chǎn)品路線上提出明確的時間表：早在對外發(fā)布的制程路線圖中，三星曾將2納米與1.4納米納入其中長期計劃，并規(guī)劃到2027年前后推進1.4納米級別的制程投產(chǎn)。

　　公開信息顯示，其第二代2納米工藝（SF2P）采用進階版MBCFET架構，相較3納米性能提升12%、功耗降低25%，同時引入后側電源交付網(wǎng)絡技術，莊閑和游戲優(yōu)化功率效率。在剛剛舉行的2026 CES展上，高通CEO安蒙透露，已就2納米芯片代工與三星進行積極洽談，相關設計工作已完成，目標是盡快實現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)。

　　在羅國昭看來，三星的優(yōu)勢在于其在設備整合、封裝等關鍵環(huán)節(jié)的一體化協(xié)同，但挑戰(zhàn)在于若要與臺積電抗衡，仍需要持續(xù)改善良率。近年來，三星曾在某些關鍵節(jié)點上暴露出良率低的問題，導致部分客戶轉單或拖延，因此，良率也成為三星過去兩年的改進重心。

　　以2納米為例，初期三星2納米良率僅20%—30%，經(jīng)持續(xù)優(yōu)化，至2025年年底已達40%—50%，目標是在2026年年初提升至70%。盡管仍低于臺積電2納米70%以上的良率水平，但也能滿足大規(guī)模商業(yè)化的基本要求。三星官方信息顯示，其正將德州工廠作為2納米產(chǎn)能核心，通過多元化供應鏈策略分流臺積電客戶資源，在先進制程市場搶占更多份額。

　　而老牌巨頭英特爾則以“回歸制造”與“代工廠擴張”為雙重目標。在近年來提出包括18A（等同于1.8納米級別）、14A（等同于1.4納米級別）等命名的路線，并通過美國官方投資法案與巨額資本投入，加速本土產(chǎn)能擴張。

　　記者從英特爾方面獲悉，目前其18A制程引入RibbonFET（GAA晶體管）與PowerVia（背面供電）雙重技術，已于2025年進入量產(chǎn)階段，預計在2026年擴大商業(yè)化應用。

　　羅國昭認為，18A被英特爾視為“奪回制程領導權”的關鍵。如果18A能證明其效能，那么14A則有望吸引大量原本屬于臺積電的客戶。

　　就在2025年10月，英特爾曾公開展示基于18A工藝的Panther Lake處理器晶圓。目前，其正將亞利桑那州工廠作為18A產(chǎn)能核心，目標是拿到蘋果、英偉達等頭部客戶的訂單，以重塑其在晶圓代工市場的地位。

　　市場價值初顯

　　伴隨1.4納米制程進入研發(fā)周期，全球半導體產(chǎn)業(yè)價值也有望迎來新一輪增長，同時推動下游應用領域的技術革新。

　　季維認為，進入2納米制程后，1.4納米將不只是代表一個孤立的技術節(jié)點，而是連接智能終端、云端AI、邊緣計算與汽車電子等多重場景的關鍵橋梁。若1.4納米能夠在2027—2028年進入穩(wěn)定放量期，其打通融合多應用場景預計將是其首要價值。

　　從需求端來看，AI芯片、智能駕駛、高端消費電子是1.4納米工藝的核心應用場景。據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會及其他機構發(fā)布的研報，2025年AI芯片制造商對3納米及以下制程設備采購量同比激增，占全球先進設備總需求的三成以上，隨著大模型訓練與推理需求持續(xù)釋放，1.4納米制程將成為AI芯片性能突破的關鍵支撐。

　　智能駕駛領域同樣潛力巨大，車規(guī)級芯片正逐步向1.4納米及以下工藝滲透，1.4納米制程可實現(xiàn)更高的算力密度與更低的功耗，滿足自動駕駛感知、決策、控制等多環(huán)節(jié)的高性能需求。

　　據(jù)Gartner、IDC等第三方機構預測，到2030年，全球先進制程（5納米以下）代工市場規(guī)模將突破1200億美元。其中，1.4納米及以下節(jié)點將占據(jù)高端邏輯芯片產(chǎn)值的40%以上。

　　季維指出，由于1.4納米極高的進入壁壘，已有市場機構預計其初期代工單價將比3納米高出約50%。這對晶圓廠而言，盡管研發(fā)成本高企，但其長尾效應可能帶來的利潤卻非常驚人。

　　對于市場競爭格局，羅國昭認為，若臺積電在1.4納米上能夠盡快取得快速良率提升，并與大客戶綁定，臺積電的領先優(yōu)勢將進一步放大，可能導致高端市場的“單極”格局短期內更穩(wěn)固。反之，若三星或英特爾通過差異化技術或本地化政策工具成功爭取到高價值訂單，則全球高端代工市場可能出現(xiàn)更明顯的“分區(qū)化”競爭，客戶會根據(jù)產(chǎn)品類別與合規(guī)需求選擇不同代工廠，而這一點，在1.4納米時代可能會更明顯。

　　此外，對于各方關注的中國市場，先進制程領域的競爭壓力也正在倒逼本土企業(yè)加速突圍。目前以中芯國際為代表的廠商在成熟制程領域持續(xù)擴產(chǎn)，同時加大先進技術研發(fā)投入。Yole Group預測，2030年中國大陸有望以30%的全球晶圓代工產(chǎn)能份額，成為全球最大代工中心。雖然在先進制程方面仍面臨突圍挑戰(zhàn)，但這種追趕，無疑將令1.4納米時代的競爭格局充滿想象空間。